Name: Vishay Siliconix SI4322DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4322DY-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI4322DY-T1-E3

Artikelnummer:

SI4322DY-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 30V 18A 8SO

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI4322DY-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI4322DY-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (max)	3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1640 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	18A (Tc)
Grundproduktnummer	SI4322
SI4322DY-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI4322DY-T1-E3 PDF - EN.pdf

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- Originalrechnungsnummer
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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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